測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法

　　測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻
 

　　(包括米波波長在內(nèi))
 

　　下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
 

　　范圍
 

　　本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15Hz-300MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法，并由此計(jì)算某些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法，也能用于其他頻率下測量。
 

　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān)，例如頻率、溫度、濕度，在特殊情況下也與電場強(qiáng)度有關(guān)。
 

　　有時在超過1000V的電壓下試驗(yàn)，則會引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng)，對此不予論述。
 

　　規(guī)范性引用文件
 

　　下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
 

　　IEC60247:1978 液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量
 

　　術(shù)語和定義
 

　　下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
 

　　3.1  相對電容率 relative permittivity
 

　　εr
 

　　電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容C0之比:
 

　　式中:
 

　　εr——相對電容率；
 

　　Cx——充有絕緣材料時電容器的電極電容；
 

　　C0——真空中電容器的電極電容。
 

　　在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率εr等于1.00053。因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來代替C0測量相對電容率εr時，也有足夠的度。
 

　　在一個測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)ε0的乘積。
 

　　在SI制中，電容率用法/米(F/m )表示。而且,在SI單位中，電氣常數(shù)ε0為:
 

　　在本標(biāo)準(zhǔn)中，用皮法和厘米來計(jì)算電容，真空電氣常數(shù)為:      …………(3)
 

　　3.2  介質(zhì)損耗角 dielectric loss angle
 

　　δ
 

　　由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。
 

　　3.3  介質(zhì)損耗因數(shù)  dielectric dissipation factor
 

　　tanδ
 

　　損耗角δ的正切。
 

　　3.4  〔介質(zhì)〕損耗指數(shù)  [dielectric] loss index
 

　　εr”
 

　　該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積。
 

　　3.5  復(fù)相對電容率  complex relative permittivity
 

　　εr
 

　　由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的: